深圳市润华创芯科技有限公司作为专业的集成半导体器件设计与供应商，始终致力于推广性能卓越，质量稳定且具有价格竞争力的集成半导体器件。为客户提供优秀的芯片方案，在功率半导体器件方面提供击穿电压覆盖-100V至700V的MOSFET，稳态电流覆盖100mA至400A的选择范围。采用最先进的沟槽工艺技术和电流通路布局结构，实现了MOSFET的功率密度最大化，显著降低了电流传导过程中的导通功率损耗。同时，提供低开关损耗的系列MOSFET，产品有效减低了槽极电荷（Qg），尤其是槽漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关损耗。产品采用先进的SGT工艺，将MOSFET功率，散热和可靠性提升至新的高度，确保MOSFET在复杂使用环境中的可靠性，且有效的降低了成本。
